Photodiode PIN : BP104


Cette photodiode PIN silicium est destinée à des applications IR à 950 nm (elle est equipée d'un filtre lumière du jour) avec des temps de commutation courts (20 ns).


Caractéristiques principales :

  • Fabricant : SIEMENS
  • Longueur d'ondes de sensibilité max. : 950 nm
  • Tension inverse Vf max. : 20 V
  • Puissance dissipée max. : 150 mW
  • Entraxe : 5,08 mm
  • Sensibilité spectrale : 0,70 A/W
  • I obscurité (VA = 10 V) : 2 à 30 nA
  • Angle de détection : 120°


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